BSP171PE6327
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSP171PE6327 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SIPMOS® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 460µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 300mOhm @ 1.9A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.8W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-SOT223-4 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 20nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 460pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.9A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 81 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1