Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSP170PH6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSP170PH6327XTSA1
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 300mOhm @ 1.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 410pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPD06N03LB G
Infineon Technologies
$0
IRF9321TRPBF
Infineon Technologies
$0
BSP318SH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0