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BSP149 E6327
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | BSP149 E6327 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 1.8W (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-SOT223-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 14nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 430pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 660mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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