Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSP135H6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSP135H6327XTSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Depletion Mode
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 94µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.9nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 146pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

AON7254
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
BSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
$0
PSMN040-100MSEX
Nexperia USA Inc.
$0
SIA456DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
STS5P3LLH6
STMicroelectronics
$0