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BSO303PNTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: BSO303PNTMA1
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 21mOhm @ 8.2A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket P-DSO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 72.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1761pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.2A

Auf Lager 52 pcs

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