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BSO211PNTMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | BSO211PNTMA1 |
| Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 2W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Basis-Teilenummer | BSO211 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 67mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | P-DSO-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 23.9nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 920pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.7A |
Auf Lager 1380 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.89 | $0.87 | $0.85 |
Minimale: 1
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