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BSO211PNTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: BSO211PNTMA1
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Cut Tape (CT)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer BSO211
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket P-DSO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 23.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 920pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.7A

Auf Lager 1380 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.89 $0.87 $0.85
Minimale: 1

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