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BSM50GD170DLBOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: BSM50GD170DLBOSA1
Beschreibung: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Last Time Buy
Leistung - Max 480W
Konfiguration Full Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100A
Eingangskapazität (Cies) 3.5nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$165.68 $162.37 $159.12
Minimale: 1

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