Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSM50GAL120DN2HOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: BSM50GAL120DN2HOSA1
Beschreibung: IGBT 2 MED POWER 34MM-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 400W
Konfiguration Single Switch
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 78A
Eingangskapazität (Cies) 3.3nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 52 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$66.05 $64.73 $63.43
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

MIXA60W1200TED
IXYS
$65.86
DF75R12W1H4FB11BOMA2
Infineon Technologies
$65.23
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
$65.23
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2
Infineon Technologies
$65.23
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
$65.23