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BSM35GB120DN2HOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: BSM35GB120DN2HOSA1
Beschreibung: IGBT 2 MED POWER 34MM-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 280W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.2V @ 15V, 35A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50A
Eingangskapazität (Cies) 2nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$63.26 $61.99 $60.75
Minimale: 1

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