BSM35GB120DN2HOSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
Datenblatt: | BSM35GB120DN2HOSA1 |
Beschreibung: | IGBT 2 MED POWER 34MM-1 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
Eingabe | Standard |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Teilstatus | Not For New Designs |
Leistung - Max | 280W |
Konfiguration | Half Bridge |
Montagetyp | Chassis Mount |
NTC-Thermistor | No |
Paket / Fall | Module |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | Module |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 50A |
Eingangskapazität (Cies) | 2nF @ 25V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 65 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$63.26 | $61.99 | $60.75 |
Minimale: 1