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BSM100GB170DN2HOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: BSM100GB170DN2HOSA1
Beschreibung: MODULE IGBT 1700V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1000W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 145A
Eingangskapazität (Cies) 16nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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