BSM100GB170DN2HOSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
Datenblatt: | BSM100GB170DN2HOSA1 |
Beschreibung: | MODULE IGBT 1700V |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
Eingabe | Standard |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 1000W |
Konfiguration | Half Bridge |
Montagetyp | Chassis Mount |
NTC-Thermistor | No |
Paket / Fall | Module |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | Module |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 100A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 145A |
Eingangskapazität (Cies) | 16nF @ 25V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1700V |
Auf Lager 73 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1