Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSF077N06NT3GXUMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSF077N06NT3GXUMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 33µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.7mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.2W (Ta), 38W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket MG-WDSON-2, CanPAK M™
Gate Charge (Qg) (Max.) 46nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3700pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Ta), 56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC884N03MS G
Infineon Technologies
$0
BSC240N12NS3 G
Infineon Technologies
$0
BSC205N10LS G
Infineon Technologies
$0