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BSD223P L6327

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: BSD223P L6327
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Teilenummer BSD223
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT363-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.62nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 56pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 390mA

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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