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BSD214SNH6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSD214SNH6327XTSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT363-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.8nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 143pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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