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BSC882N03LSGATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC882N03LSGATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH TDSON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 46nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 34V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3700pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 66 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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