Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSC22DN20NS3GATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC22DN20NS3GATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 13µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 225mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 34W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-5
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 430pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 4665 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BSF030NE2LQXUMA1
Infineon Technologies
$0
NVTFS5826NLTAG
ON Semiconductor
$0
IPD75N04S406ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD50R800CEBTMA1
Infineon Technologies
$0
IRLR3105TRPBF
Infineon Technologies
$0.94