BSC200P03LSGAUMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSC200P03LSGAUMA1 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 100µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 20mOhm @ 12.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.5W (Ta), 63W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TDSON-8-1 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 48.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2430pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 81 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1