Image is for reference only , details as Specifications

BSC100N06LS3GATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC100N06LS3GATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 23µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-5
Gate Charge (Qg) (Max.) 45nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3500pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 102737 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BSZ100N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
$0
SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
IRLL2705TRPBF
Infineon Technologies
$0