Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSC090N03LSGATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC090N03LSGATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-5
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1500pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Ta), 48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDMC8882
ON Semiconductor
$0
BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
SIA445EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
TSM170N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
SQ2337ES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0