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BSC052N08NS5ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC052N08NS5ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 49µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-7
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2900pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 95A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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