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BSC046N02KSGAUMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC046N02KSGAUMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 110µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.6mOhm @ 50A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta), 48W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 27.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4100pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 4987 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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