BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSC036NE7NS3GATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 110µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.6mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TDSON-8-7 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 63.4nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4400pF @ 37.5V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 14074 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.07 | $3.01 | $2.95 |
Minimale: 1