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BSC028N06NSTATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC028N06NSTATMA1
Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3W (Ta), 100W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-7
Gate Charge (Qg) (Max.) 49nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3375pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 24A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 4208 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.09 $2.05 $2.01
Minimale: 1

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