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BSC027N10NS5ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC027N10NS5ATMA1
Beschreibung: TRENCH >=100V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 146µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3W (Ta), 214W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TSON-8-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 111nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 8200pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 2234 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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