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BSC011N03LSTATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC011N03LSTATMA1
Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.1mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3W (Ta), 115W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8 FL
Gate Charge (Qg) (Max.) 48nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6300pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 39A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 4880 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.20 $2.16 $2.11
Minimale: 1

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