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BSB104N08NP3GXUSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSB104N08NP3GXUSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10.4mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket MG-WDSON-2, CanPAK M™
Gate Charge (Qg) (Max.) 31nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2100pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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