BSB104N08NP3GXUSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSB104N08NP3GXUSA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-WDSON |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.8W (Ta), 42W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 31nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2100pF @ 40V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13A (Ta), 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 93 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.60 | $0.59 | $0.58 |
Minimale: 1