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BSB044N08NN3GXUMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSB044N08NN3GXUMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 97µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.4mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket MG-WDSON-2, CanPAK M™
Gate Charge (Qg) (Max.) 73nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5700pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Ta), 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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