Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BS7067N06LS3G

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BS7067N06LS3G
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 35µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.7mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.1W (Ta), 78W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TSDSON-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 62nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4800pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDC796N_F077
ON Semiconductor
$0
FDC699P_F077
ON Semiconductor
$0
FDC697P
ON Semiconductor
$0
FDC655AN
ON Semiconductor
$0
FDS3680
ON Semiconductor
$0