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BFP 640FESD E6327

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFP 640FESD E6327
Beschreibung: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 8B ~ 30.5dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer BFP640
Betriebstemperatur -
Frequenz - Übergang 46GHz
Lieferanten-Gerätepaket 4-TSFP
Rauschfigur (dB-Typ f) 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 110 @ 30mA, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 4.7V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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