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BFG 19S E6327

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFG 19S E6327
Beschreibung: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 14dB ~ 8.5dB
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 5.5GHz
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223-4
Rauschfigur (dB-Typ f) 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 210mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 70mA, 8V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 15V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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