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BF771E6327HTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BF771E6327HTSA1
Beschreibung: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 10dB ~ 15dB
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 580mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 8GHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Rauschfigur (dB-Typ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 30mA, 8V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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