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BCR35PNH6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: BCR35PNH6327XTSA1
Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Last Time Buy
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Basis-Teilenummer BCR35PN
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang 150MHz
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT363-6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 5353 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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