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BCR35PNE6433HTMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Datenblatt: | BCR35PNE6433HTMA1 |
| Beschreibung: | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 250mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Basis-Teilenummer | BCR35PN |
| Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms |
| Frequenz - Übergang | 150MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-SOT363-6 |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 47kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 70 @ 5mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 76 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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