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BCR162E6327HTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: BCR162E6327HTSA1
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Last Time Buy
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer BCR162
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 4.7 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 20 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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