Image is for reference only , details as Specifications

BCR119E6327HTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: BCR119E6327HTSA1
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Last Time Buy
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer BCR119
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
Frequenz - Übergang 150MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 94 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.03 $0.03 $0.03
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BCR116E6433HTMA1
Infineon Technologies
$0.03
BCR108E6433HTMA1
Infineon Technologies
$0.03
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCR166E6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
MUN2140T1G
ON Semiconductor
$0.03