Image is for reference only , details as Specifications

BCR08PNH6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: BCR08PNH6327XTSA1
Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Last Time Buy
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Basis-Teilenummer BCR08PN
Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms
Frequenz - Übergang 170MHz
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT363-6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.05 $0.05 $0.05
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

ADA114EUQ-13
Diodes Incorporated
$0.05
BCR198SH6827XTSA1
Infineon Technologies
$0.05
BCR10PNH6730XTMA1
Infineon Technologies
$0.05
ADC124EUQ-13
Diodes Incorporated
$0.05
ADC114YUQ-13
Diodes Incorporated
$0.05