Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
BAV 199 E6433
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Accessories |
| Datenblatt: | BAV 199 E6433 |
| Beschreibung: | Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Rohs | Details |
| Typ | Low Leakage |
| Marke | Infineon Technologies |
| Breite | 1.3 mm |
| Höhe | 1 mm (Max) |
| Länge | 2.9 mm |
| Serie | BAV199 |
| Produkt | General Purpose Diodes |
| Verpackung | Reel |
| Unterkategorie | Diodes & Rectifiers |
| Einheitsgewicht | 0.000282 oz |
| Hersteller | Infineon |
| Produkttyp | Diodes - General Purpose, Power, Switching |
| Konfiguration | Dual |
| Wiederherstellungszeit | 0.6 us |
| Montagestil | SMD/SMT |
| Paket / Fall | SOT-23-3 |
| Teil - Aliase | BAV199E6433HTMA1 BAV199E6433XT SP000010330 |
| Produktkategorie | Diodes - General Purpose, Power, Switching |
| Max Surge Strom | 4.5 A |
| If - Vorwärtsstrom | 200 mA |
| Ir - Rückwärtsstrom | 80 nA |
| Peak Reverse Voltage | 85 V |
| Vf - Vorwärtsspannung | 1250 mV |
| Fabrikpack-Menge | 10000 |
| Pd - Verlustleistung | 330 mW |
| Maximale Betriebstemperatur | + 150 C |
| Minimale Betriebstemperatur | - 65 C |
Auf Lager 30080 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.21 | $0.21 | $0.20 |
Minimale: 1
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