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AUIRL7766M2TR

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: AUIRL7766M2TR
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric M4
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10mOhm @ 31A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET™ M4
Gate Charge (Qg) (Max.) 66nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5305pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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