Image is for reference only , details as Specifications

AUIRFS8407

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: AUIRFS8407
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Teilenummer IRFS8407
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.8mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 230W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 225nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7330pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.82 $1.78 $1.75
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
$1.82
FDMS86550ET60
ON Semiconductor
$0
FCP16N60N-F102
ON Semiconductor
$1.81
SPA11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
$1.81
SIHB15N65E-GE3
Vishay / Siliconix
$1.81