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AUIRF7341Q

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: AUIRF7341Q
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tube
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2.4W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 44nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 780pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.1A

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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