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AIHD15N60RATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: AIHD15N60RATMA1
Beschreibung: IC DISCRETE 600V TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 90nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 250W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Schalten der Energie 370µJ (on), 530µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 16ns/183ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3-313
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 45A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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