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MMIX1G320N60B3
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | MMIX1G320N60B3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 585nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1000W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 24-PowerSMD, 21 Leads |
| Testbedingung | 480V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 2.7mJ (on), 5mJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 44ns/250ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 24-SMPD |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 100A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 66ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 400A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 1000A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 57 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $37.51 | $36.76 | $36.02 |
Minimale: 1
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