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MKI50-12F7

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: MKI50-12F7
Beschreibung: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ NPT
Teilstatus Active
Leistung - Max 350W
Konfiguration Full Bridge Inverter
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall E2
Basis-Teilenummer MKI
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket E2
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.8V @ 15V, 50A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 65A
Eingangskapazität (Cies) 3.3nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 700µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$82.24 $80.60 $78.98
Minimale: 1

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