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MII200-12A4

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: MII200-12A4
Beschreibung: MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ NPT
Teilstatus Active
Leistung - Max 1130W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Y3-DCB
Basis-Teilenummer MII
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Y3-DCB
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.7V @ 15V, 150A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 270A
Eingangskapazität (Cies) 11nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 10mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 53 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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