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IXYP20N65C3D1M

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IXYP20N65C3D1M
Beschreibung: IGBT 650V 18A 50W TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie GenX3™, XPT™
IGBT-Typ PT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 30nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 50W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Testbedingung 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Schalten der Energie 430µJ (on), 350µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 19ns/80ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 18A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 105A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 76 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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