Image is for reference only , details as Specifications

IXTY1R6N50D2

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTY1R6N50D2
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Depletion Mode
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Verlustleistung (Max.) 100W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252, (D-Pak)
Gate Charge (Qg) (Max.) 23.7nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 645pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.18 $2.14 $2.09
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
$0
SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
$1.79
IXTA08N100D2
IXYS
$1.77
IXTP32P05T
IXYS
$1.77
STU7LN80K5
STMicroelectronics
$1.75