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IXTY1R6N100D2

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTY1R6N100D2
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Depletion Mode
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V
Verlustleistung (Max.) 100W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252, (D-Pak)
Gate Charge (Qg) (Max.) 27nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 645pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -

Auf Lager 698 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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