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IXTT6N120

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTT6N120
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.6Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-268
Gate Charge (Qg) (Max.) 56nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1950pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 90 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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