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IXTT10N100D
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IXTT10N100D |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.4Ohm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 400W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-268 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 130nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2500pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 60 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $11.56 | $11.33 | $11.10 |
Minimale: 1
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