IXTR200N10P
Hersteller: | IXYS |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXTR200N10P |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | ISOPLUS247™ |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8mOhm @ 60A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 300W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | ISOPLUS247™ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 235nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 7600pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 83 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$10.45 | $10.24 | $10.04 |
Minimale: 1