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IXTQ130N10T

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTQ130N10T
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMV™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 360W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Gate Charge (Qg) (Max.) 104nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5080pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 133 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.58 $3.51 $3.44
Minimale: 1

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